Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC123EMFHAT2L
NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- DTC123
DTC123EMFHAT2L Hakkında
DTC123EMFHAT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paket içerisinde entegre bir diyot ile birlikte sunulan bu komponent, R1 ve R2 tarafından ön yükleme yapılmaktadır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile düşük sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. 2.2kΩ base ve emitter-base direnç değerleri sayesinde hazır biçimde tetikleme devrelerine entegre edilebilir. Düşük güç tüketimi (150mW max) ve kompakt boyutu nedeniyle portatif cihazlar, sensör arabirimleri ve mantık seviyesi anahtarlamalarında tercih edilir. Not For New Designs statüsünde olup, eski tasarımların devamında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok