Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC123EKAT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTC123E
DTC123EKAT146 Hakkında
DTC123EKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT3 paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2kΩ base ve emitter-base dirençleri ile birlikte gelen transistör, voltaj amplifikasyonu, anahtarlama ve sinyal şekillendirme devreleri için uygundur. 250MHz transition frequency ile hızlı komutasyon gerçekleştirebilen DTC123EKAT146, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile mikrodenetleyici çıkışlarının sürülmesi, led uygulamaları ve küçük güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok