Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC115GUAT106
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTC115GUAT106
DTC115GUAT106 Hakkında
DTC115GUAT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 200mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 100mA maksimum kollektör akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. Entegre 100kOhm emitter-base direnci sayesinde hazır kullanım durumundadır. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutu nedeniyle portatif cihazlar, IoT uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok