Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC115EUAT106

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
DTC115EUAT

DTC115EUAT106 Hakkında

DTC115EUAT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimine ve 50V Vce(br) drenaj-yayıcı kırılma voltajına sahiptir. Entegre 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base direnç ağları bulunmakta, 250MHz transition frekansı ile RF ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 20mA kolektör akımı ile mikro-kontrol uygulamaları, sensör arabirimleri ve düşük güçlü sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 5mA kolektör akımında minimum 82 DC akım kazancı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package UMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok