Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC115EU3HZGT106
DTC115EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTC115EU3HZG
DTC115EU3HZGT106 Hakkında
DTC115EU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. Surface mount SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile dijital devre uygulamalarında kullanılmaya uygun bir tasarıma sahiptir. Entegre 100kΩ baz ve emiter baz dirençleri sayesinde basit ve kompakt devre tasarımı sağlar. Maksimum 50V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 200mW güç derating ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Düşük VCE doyma voltajı (300mV tipik) sayesinde düşük güç tüketimi gerektiren çalışmalara elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok