Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC115ECAT116

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTC115E

DTC115ECAT116 Hakkında

DTC115ECAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli dijital transistördür. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V maksimum Vce breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. İçerisinde entegre 100 kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunması, harici direnç gerektirmeden doğrudan dijital lojik çıkışlarına bağlanabilmesini sağlar. 250 MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. TTL ve CMOS lojik seviyesi ile uyumlu çalışır. Röle sürücüleri, LED kontrol devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paket ile kompakt tasarımlar için idealdir. 200 mW maksimum güç tüketimi ile düşük enerji tasarımlarında etkindir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok