Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC114GKAT146
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTC114G
DTC114GKAT146 Hakkında
DTC114GKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç kapasitesi ve 100 mA maksimum collector akımı ile çalışır. 50V breakdown voltajı, 250 MHz transition frekansı ve 30'un minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 10 kOhm emitter-base direncesi sayesinde bağlantı kolaylığı sağlar. Düşük güç tüketimi gerektiren dijital lojik devreleri, anahtar uygulamaları ve sinyal seviyesi dönüştürücü (level shifter) tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok