Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC114EUBTL

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

Paket/Kılıf
SC-85
Seri / Aile Numarası
DTC114EU

DTC114EUBTL Hakkında

DTC114EUBTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-85 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç değerleriyle önceden yapılandırılmış olup, 50mA maksimum collector akımı sınırlamasına sahiptir. 250MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında ve lojik seviye uyarlaması gereken devrelerde kullanılır. Özellikle sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve hızlı dalma devrelerinde tercih edilir. Ancak bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-85
Part Status Not For New Designs
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package UMT3F
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok