Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC114EU3HZGT106
DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTC114EU3HZG
DTC114EU3HZGT106 Hakkında
DTC114EU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, dijital mantık devrelerinde anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 50V kolektör-emitter bozulma gerilimi ve 250 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı dijital uygulamalara uygundur. Dahili 10 kΩ taban ve 10 kΩ emitter-taban dirençleri sayesinde harici biasing komponentlerine gerek duymadan çalışabilir. 200 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sinyal yönlendirme, driver devreler, ses/video sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok