Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC114EKAT146

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTC114

DTC114EKAT146 Hakkında

DTC114EKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli NPN BJT transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT pakette sunulan bu bileşen, 200mW maksimum güç dağılımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde ayrı ön beslemeli devreleri gerektirmez. 50mA maksimum kollektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ile işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik devre uygulamalarında yer alır. Düşük VCE saturation gerilimi (0.3V) ve 30 minimum DC akım kazancı (hFE) ile etkili anahtarlama sağlar. Consumer elektronikler, dizüstü bilgisayarlar ve endüstriyel denetim devreleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok