Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTC114EETL

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
DTC114

DTC114EETL Hakkında

DTC114EETL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN BJT transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 150mW güç dağıtımı kapasitesine ve 50V maksimum Vce breakdown voltajına sahiptir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 50mA kolektor akımını destekler ve 300mV'luk doyum voltajında çalışır. Dahili 10kΩ bazı ön beslemeli direnç yapısı nedeniyle lojik devre çıkışlarının direkt sürüşünde, arayüz uygulamalarında ve darbe oluşturma devrelerinde tercih edilir. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package EMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok