Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC114ECAT116
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTC114E
DTC114ECAT116 Hakkında
DTC114ECAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN türü ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 200mW güç derecelendirmesi ve 50mA maksimum kolektör akımı ile işletilen bu komponent, dahili 10kΩ base ve emitter-base dirençleri içermektedir. 250MHz geçiş frekansı, 30 minimum DC akım kazancı ve 50V collector-emitter kırılma voltajı ile karakterize edilir. Küçük boyutlu SO-23 (SST3) paketinde sunulan DTC114ECAT116, anahtarlama ve lojik devreler, sensör arayüzleri ve ses frekansı uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok