Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTC114EBT2L
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-923F
- Seri / Aile Numarası
- DTC114
DTC114EBT2L Hakkında
DTC114EBT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tip ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-923F SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimine ve 100mA collector akımına sahiptir. Dahili 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleri ile birlikte gelen bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile dijital lojik devreleri, sensör arayüzleri, düşük güç amplifikatörleri ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 50V breakdown voltajı ve 30 minimum DC current gain değerleri ile güvenilir çalışma sağlar. Ön beslemeli tasarımı sayesinde ek biyaz devresi gerektirmez, PCB tasarımında yer ve maliyet tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-923F |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VMN3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok