Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB123YCHZGT116
PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTB123
DTB123YCHZGT116 Hakkında
DTB123YCHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP ön beslemeli transistördür. Maksimum 500 mA kolektör akımı ve 50 V gerilim kapasitesi ile çalışır. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 2.2 kOhms base direnci ve 10 kOhms emitter-base direnci ile ön beslemeli yapısı sayesinde doğrudan anahtarlama kontrolü sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uyumludur. 200 mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile dijital sinyal işleme, anahtarlama kontrol devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok