Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB123ESTP
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-72 Formed Leads
- Seri / Aile Numarası
- DTB123EST
DTB123ESTP Hakkında
DTB123ESTP, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 300mW güç sınırlaması ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımını ve 200MHz transition frekansını destekler. 2.2kΩ dahili base ve emitter-base dirençleri ile entegre olan transistör, SC-72 through-hole paketi ile sunulmaktadır. VCE doyum voltajı 300mV (2.5mA base akımında, 50mA kolektör akımında) ve 50V breakdown voltajı gibi özellikleri ile analog sinyallerin anahtarlanması, zayıf sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. Entegre ön-yanlılama dirençleri sayesinde devre tasarımını basitleştirir ve PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | SC-72 Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SPT |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok