Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB114GCT116
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTB114GCT116
DTB114GCT116 Hakkında
DTB114GCT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 500 mA maksimum collector akımı ve 50 V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200 MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır. Kolektör cutoff akımı maksimum 500 nA ve VCE saturation voltajı 300 mV olarak belirtilmiştir. SOT-23-3 (TO-236) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, dijital lojik devreler, aydınlatma kontrolü, motor denetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10 kΩ emitter-base direnci entegre yapısıyla hızlı ve güvenilir anahtar işlevi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok