Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB114GCHZGT116
DTB114GCHZG IS THE HIGH RELIABIL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTB114GCHZG
DTB114GCHZGT116 Hakkında
DTB114GCHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek güvenilirliğe sahip PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, 500 mA maksimum kollektör akımı ve 200 MHz transition frekansı ile karakterizedir. 50V maksimum kollektör-emitter reverse voltajı ve 200 mW maksimum güç disipasyonunun yanı sıra, 10 kΩ emitter base direnç içerir. DC akım kazancı (hFE) 56'dır (50mA, 5V koşullarında). Ön beslemeli yapısı sayesinde switch uygulamalarında ek harici bileşen gerektirmeden kullanılabilir. Gömülü sistemler, sinyal anahtarlama, düşük güç amplifikasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok