Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTB114ECT116

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTB114

DTB114ECT116 Hakkında

DTB114ECT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Maximum 500mA collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 200mW power dissipation kapasitesine sahiptir. Dahili 10kΩ base ve emitter-base direnç ağları ile basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulur. Dijital devrelerde sürücü, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok