Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB114ECHZGT116
PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTB114
DTB114ECHZGT116 Hakkında
DTB114ECHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. 500mA maksimum kollektör akımı ve 50V maksimum VCE rating'i ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Entegre taban dirençleri (R1 ve R2 her biri 10kΩ) ile ön beslemeli yapısı sayesinde direkt lojik seviyeleri tarafından sürülebilir. 200 MHz geçiş frekansı sayısal anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 200mW güç disipasyon kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir. Entegre diyot yapısı aşırı voltaj koruması sağlar. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, lojik seviye uygulamaları ve darbe sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok