Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTB113ECHZGT116
DTB113ECHZG IS THE HIGH RELIABIL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTB113
DTB113ECHZGT116 Hakkında
DTB113ECHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür ve entegre diod içerir. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, 500 mA'e kadar collector akımı sağlayabilir ve 200 MHz transition frekansına sahiptir. Maksimum 200 mW güç tüketimi ile tasarlanan DTB113, switching ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile düşük sinyaller işlemek için optimize edilmiştir. Gömülü ön beslemeli direnç yapısı ve dahili diod sayesinde driver devreleri, logic seviyeleri kontrolü ve hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Aktif durumda tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok