Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA143XCAHZGT116
DTA143XCAHZG IS THE HIGH RELIABI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA143XCAHZG
DTA143XCAHZGT116 Hakkında
DTA143XCAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP türü ön beslemeli transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, dahili baz direnci (4.7 kΩ) ve emitter-baz direnci (10 kΩ) ile entegre diiyot içerir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V Vce breakdown voltajı ile çalışabilir. 250 MHz geçiş frekansı, 200 mW güç yönetimi kapasitesi ve 30 minimum DC akım kazancı (10 mA'da) sayesinde anahtarlama uygulamalarında, ses amplifikasyonunda ve düşük seviye sinyal işlemesinde kullanılır. Yüksek güvenilirlik derecesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok