Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA143EUAT106
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTA143E
DTA143EUAT106 Hakkında
DTA143EUAT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç yönetim kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V breakdown voltajı ile sinyal anahtarlama, darbe devrelerinde ve ses frekansı uygulamalarında tercih edilir. Entegre 4.7kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biyaslanma devresi gerektirmez, dış devreye direkt bağlantı yapılabilir. Düşük 300mV saturasyon voltajı ile verimli anahtar işlemi sağlar. Tüketici elektroniği, akım kontrol devreleri ve lojik seviyeleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok