Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA143EKAT246
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA143EKAT
DTA143EKAT246 Hakkında
DTA143EKAT246, ROHM Semiconductor tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. TO-236-3/SOT-23-3 SMT paketi ile tasarlanmış bu komponent, entegre 4.7kΩ base ve 4.7kΩ emitter-base dirençleri içerir. Maksimum 200mW güç tüketimi, 100mA collector akımı ve 250MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun durumdadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile düşük seviye sinyali amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde dış ön beslemeli dirençler gerektirmez ve kompakt dizaynlar için idealdir. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok