Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTA143ECAHZGT116

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTA143ECAHZGT116

DTA143ECAHZGT116 Hakkında

DTA143ECAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50V maksimum Vce ile çalışan bu transistör, 350 mW güç dissipasyonuna sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketi ile sunulan bileşen, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 250 MHz transition frekansı ve 30 minimum DC current gain değerleri ile dijital devreler, switch kontrolleri ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 4.7 kΩ base ve emitter base dirençleriyle entegre olan bu ön beslemeli transistör, PCB tasarımını basitleştirir ve devre karmaşıklığını azaltır. 300 mV maksimum saturasyon gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok