Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA124ECAHZGT116
DTA124ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA124ECAHZG
DTA124ECAHZGT116 Hakkında
DTA124ECAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek güvenilirlikli ön beslemeli PNP bipolar transistördür. Dahili diode ve base-emitter dirençleri (her biri 22 kΩ) içeren bu komponent, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı kapsüldedir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 200 mW güç dissipasyonu kapasitesi ile, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve lojik devreler gibi uygulamalarda kullanılır. 250 MHz transition frequency ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 50 V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ve 300 mV saturasyon voltajı özellikleri ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok