Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA123JKAT146
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA123JKAT146
DTA123JKAT146 Hakkında
DTA123JKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP ön beslemeli (pre-biased) BJT transistörüdür. Entegre baz ve emiter dirençleri (2.2kΩ ve 47kΩ) içeren bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kollektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V maksimum kolektör-emiter diyaklaşma gerilimi ile çalışır. 200mW güç derecelendirmesi, düşük sinyallik ve anahtarlama devreleri, lojik seviye dönüştürücüler, osilatör devreleri ve dijital sistem tasarımında yaygın olarak kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketi, kompakt tasarımlar için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok