Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA123JCAT116
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA123J
DTA123JCAT116 Hakkında
DTA123JCAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 100mA maksimum kollektör akımı ve 50V gerilim dayanımı ile genel amaçlı dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İntegre baz ve emitter dirençleri (2.2kΩ ve 47kΩ) sayesinde harici bileşen gereksinimi azaltır. Surface mount TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu transistör, hızlı anahtarlama, lojik seviye kontrolü ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 80 minimum current gain (hFE), 300mV saturation voltajı ve 200mW maksimum güç dağılımı ile kompakt tasarımlara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok