Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA123EMT2L
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- DTA123
DTA123EMT2L Hakkında
DTA123EMT2L, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP türü ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistör (BJT) olup, entegre base ve emitter dirençleri ile donatılmıştır. 150mW güç tüketimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 300mV doyum voltajı sayesinde röle sürücüleri, LED kontrolü, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Kompakt SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.2kΩ base ve emitter dirençleri ile kolay tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok