Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA123ECAHZGT116
DTA123ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA123ECAHZG
DTA123ECAHZGT116 Hakkında
DTA123ECAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek güvenilirlikli PNP ön beslemeli transistördür. Entegre diod ile birlikte gelen bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 100mA maksimum kolektor akımı, 250MHz transition frequency ve 200mW maksimum güç seviyesi ile kompakt uygulamalarda, özellikle dijital lojik seviyesi dönüşüm devrelerinde, darbe şeklendirme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V kolektor-emitter yıkılım gerilimi ve 2.2kΩ ön beslemeli dirençleri sayesinde minimum harici bileşenle basit kontrol devreleri tasarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok