Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA115GKAT146
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA115GKAT146
DTA115GKAT146 Hakkında
DTA115GKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 200 mW güç kapasitesine sahip bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 250 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 300mV doygunluk gerilimi (5mA'da) ile devre tasarımında güvenilir performans sağlar. Entegre 100 kOhm emitter-base direnci sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek duyulmaz ve PCB tasarımını basitleştirir. Sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok