Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA115EETL
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- DTA115EE
DTA115EETL Hakkında
DTA115EETL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür (BJT). SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre olarak tasarlanmış 100kΩ taban ve emitter-taban dirençleri sayesinde ön beslemeli yapı sağlar, böylece ek harici dirençlere gerek kalmaz. 250 MHz geçiş frekansı, 50V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 20mA maksimum kolektör akımı özellikleriyle, sinyal işleme, arayüz devreleri ve dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. 5mA akımda 82 minimum DC akım kazancı (hFE) ile stabil çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | EMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok