Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA115ECAT116
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA115E
DTA115ECAT116 Hakkında
DTA115ECAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 100 mA collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 100kΩ base ve emitter-base direnç yapısıyla hızlı tasarım ve prototipleme imkanı sağlar. 250 MHz transition frekansı sayesinde hızlı komütasyon gerektiren dijital ve analog devrelerde tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel kontrol, sinyal işleme ve enerji yönetimi uygulamalarında yer alır. 200 mW maksimum güç tüketimiyle sınırlı güç bütçesi olan cihazlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok