Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA114YCAT116
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA114YCA
DTA114YCAT116 Hakkında
DTA114YCAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 100 mA maksimum collector akımı ve 50 V breakdown voltajı ile çalışır. Dahili 10 kΩ base resistörü ve 47 kΩ emitter-base resistörü ile entegre olarak tasarlanmıştır. 250 MHz transition frequency'si ile sayısal anahtarlama uygulamalarında hızlı komutasyon sağlar. 200 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü devre tasarımlarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Dijital logic seviyesi sürücü, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok