Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA114EU3HZGT106
DTA114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- DTA114EU3
DTA114EU3HZGT106 Hakkında
DTA114EU3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir BJT transistörüdür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 MHz transition frequency ile çalışabilir. İçerisinde 10 kΩ taban ve emiter-taban dirençleri bulunmakta olup, maksimum 50V kolektör-emiter gerilim dayanımına sahiptir. 200 mW güç sınırlandırması ve 300mV satürasyon gerilimi ile karakterize edilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleme ve düşük güç dijital devre tasarımlarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek duyulmadan doğrudan entegre devreler ve sensör uygulamalarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok