Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTA114EKAT146

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTA114E

DTA114EKAT146 Hakkında

DTA114EKAT146, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMT paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimine ve 50V Vce(br) diyeleğine sahiptir. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile hassas ön beslemeli uygulamalara hazırdır. 250MHz transition frekansı, 30 minimum hFE gain (5mA, 5V koşulunda) ve 300mV maksimum saturasyon voltajı ile sinyal anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerine uygun tasarlanmıştır. Ses, bilgisayar ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SMT3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok