Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA114EEFRATL
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- DTA114EE
DTA114EEFRATL Hakkında
DTA114EEFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimi ve 20mA kollektör akımı kapasitesi ile düşük sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç konfigürasyonu ile doğrudan kullanıma hazır tasarlanmıştır. 250MHz transition frekansı ve 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle ön yükleme ve bias stabilizasyonu gereken uygulamalarda tercih edilir. Aktif durumdaki 300mV saturasyon voltajı düşük güç tüketimi gerektiren portatif cihazlarda verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | EMT3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok