Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA114ECAT116
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA114E
DTA114ECAT116 Hakkında
DTA114ECAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 200mW güç kapasitesi ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç içererek dış bağlantı gereksinimleri azaltır. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 50mA maksimum collector akımı ve 30 minimum DC current gain özelliklerine sahiptir. Surface Mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. Sinyal anahtarlaması, ters polarite koruması ve düşük seviye lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok