Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DTA114ECAHZGT116

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DTA114E

DTA114ECAHZGT116 Hakkında

DTA114ECAHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V reverse voltage rating ile çalışan bu komponent, 250 MHz transition frequency'ye sahiptir. İntegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile doğrudan kullanıma hazır haldedir. 350mW maksimum güç yayınlama kapasitesine ve 300mV saturation voltajına (Vce @ 500µA, 10mA) sahip olan bu transistör, TO-236-3 (SOT-23) SMD paketinde sunulmaktadır. Dijital sinyallerin anahtarlanması, lojik devreler, amplifikatör uygulamaları ve küçük sinyal işleme işlemlerinde yaygın olarak kullanılır. Ön beslemeli yapısı, harici devre tasarımını basitleştirerek hızlı prototip geliştirme ve üretim verimliliğini artırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok