Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA113ZCAT116
PNP, SOT-23, R1R2 LEAK ABSORPTIO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DTA113ZCA
DTA113ZCAT116 Hakkında
DTA113ZCAT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. Entegre R1 (1kΩ) ve R2 (10kΩ) base resistörleri ile dahili olarak yapılandırılmış tasarımı sayesinde harici biasing komponentlerine gerek duymayan basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V maksimum VCE(Br) delectric güçlü özelliğiyle düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 200mW güç dağılım kapasitesi ile inverter, lojik seviye shiftleme, sinyal anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. SOT-23 yüzey montajı paketesi kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok