Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DTA113EET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
DTA113EET1G Hakkında
DTA113EET1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paket ile tedarik edilir. 50V kolektör-emitter gerilim dayanımına ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. Dahili olarak 1kΩ baz ve 1kΩ emitter-baz dirençleri barındırır. 200mW güç dissipasyonuna kadar çalışabilir. Maksimum doyum gerilimi (Vce sat) 250mV'tur. Kolektör kesme akımı 500nA ile sınırlandırılmıştır. Ses frekansı anahtarlama devrelerinde, lojik seviye dönüştürücülerde ve aşırı akım koruması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Dahili baz direnci nedeniyle harici baz direnci gerektirmez ve kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok