Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRDNB26W-7
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DRDNB26W
DRDNB26W-7 Hakkında
DRDNB26W-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistör ve dahili diyot kombinasyonudur. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 600 mA maksimum kolektör akımı ve 200 MHz transition frekansı ile çalışabilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 200 mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. Dahili 220 Ohm baz direnci ve 4.7 kOhm emitter-baz direnci ile ön beslemeli tasarım sayesinde ek bileşenlere gerek kalmadan kullanılabilir. Sinyal anahtarlaması, lojik devre uygulamaları ve düşük güçlü anahtar devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Part status obsolete olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok