Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRDNB16W-7
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DRDNB16W
DRDNB16W-7 Hakkında
DRDNB16W-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistörüdür. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter-base dirençleriyle tasarlanmıştır. 600 mA maksimum collector akımı, 200 MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200 mW güç dağıtım kapasitesi, düşük collector cutoff akımı ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde mantık seviyesi sürücü devrelerinde, sinyal anahtarlaması ve DC amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Kompakt boyutu, entegre biyaslandırma dirençleri ve aktif durumdaki düşük Vce saturasyon gerilimi, yüksek entegre yoğunluk gerektiren uygulamalar için avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok