Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DRDN005W-7

TRANS NPN 80V 0.5A SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
DRDN005W

DRDN005W-7 Hakkında

DRDN005W-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistör ve izole diyot kombinasyonudur. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. 100mA akımda minimum 100 DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Vce doyum gerilimi 10mA taban akımı ve 100mA kolektör akımında 250mV'tur. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 200mW güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Not: Bu ürün üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SOT-363
Transistor Type NPN + Diode (Isolated)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok