Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRC5115E0L
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
DRC5115E0L Hakkında
DRC5115E0L, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 150 mW güç tüketimine sahip bu entegre transistör bileşeni, dahili 100 kΩ base ve 100 kΩ emitter-base dirençleriyle donatılmıştır. SC-85 (SMini3) yüzey monte paketiyle tasarlanan bu transistör, maksimum 100 mA kollektör akımına, 50 V yıkılma gerilimi ve 250 mV doyum gerilimi desteğine sahiptir. Ön beslemeli yapısı sayesinde konfigürasyon basitleştirilmiş analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında, sinyal kuvvetlendirmede ve lojik devre tasarımında kullanılır. Düşük güç tüketimi ile portatif cihazlar, sensör ara yüzleri ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok