Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA9A14Y0L
TRANS PREBIAS PNP 0.125W SSMINI3
DRA9A14Y0L Hakkında
DRA9A14Y0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-89 (SOT-490) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 80mA kollektör akımı ve 125mW güç derecelendirmesi ile sinyal anahtarlama, lojik seviye konversiyon ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanılır. Dahili 10kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci sayesinde harici biyaslandırma ek bileşenlerine ihtiyaç duymaz. 50V bozulma gerilimi ve 250mV doyum gerilimi ile standart anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Minimum 80 DC akım kazancı (hFE) ile küçük sinyallerin güvenilir bir şekilde anahtarlanmasını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 125 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SSMini3-F3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok