Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5143E0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5143E0L Hakkında
DRA5143E0L, Panasonic tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek entegrasyon düzeyi ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda kullanılır. 150mW güç kapasitesi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V maksimum Vce breakdown voltajı ile çeşitli düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. SC-85 (SMini3) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, entegre baz ve emitter direnç ağı (4.7kΩ) sayesinde sürücü devreleri, sinyal kontrolü ve lojik seviye dönüşümü uygulamalarında tercih edilir. Kolektör kesme akımı maksimum 500nA, Vce saturasyon 250mV @ 500µA/10mA özellikleriyle düşük sızıntı akımı gerektiren tasarımlarda avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok