Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5124E0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5124E0L Hakkında
Panasonic DRA5124E0L, PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150mW maksimum güç derecelendirmesi ve 50V collector-emitter kırılma gerilimi ile, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Dahili 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile entegre ön polarizasyon özelliği sayesinde, basit devre tasarımları için uygun bir seçimdir. 100mA maksimum collector akımı ve 60 minimum DC akım kazancı ile sinyal işleme, darbe kontrol ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok