Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5123J0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5123J0L Hakkında
DRA5123J0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-85 (SMini3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ile işaret işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. İçerisinde entegre 2.2kΩ baz ve 47kΩ emitter-baz dirençleri ile hemen kullanıma hazırdır. Minimum 80 hFE DC akım kazancı ile güvenilir komütasyon sağlar. Tüketici elektroniği, telefon ekipmanları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok