Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5115G0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5115G0L Hakkında
DRA5115G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-85 (SMini3-F2-B) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kollektör akımı, 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 50V maksimum Vce breakdown voltajı özellikleriyle sinyal anahtarlama, lojik arayüz ve ön beslemeli anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. Entegre 100kOhm emitter-base direnci sayesinde harici biasing bileşenleri gereksizdir. Düşük 250mV saturasyon voltajı ve 500nA maksimum cutoff akımı ile verimli anahtarlama sağlar. Yüksek yoğunluklu PCB tasarımları ve kompakt elektronik uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok