Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5115E0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5115E0L Hakkında
Panasonic DRA5115E0L, 150mW güç derecelemesine sahip PNP ön beslemeli (pre-biased) BJT transistörüdür. SC-85 SMini3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum kollektör akımı ve 50V maksimum Vce aralığında çalışır. Entegre 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base dirençleri ile ön beslemeli tasarımı sayesinde, basit anahat uygulamalarında ek direnç gereksinimleri azaltır. 5mA kollektör akımında 80 minimum hFE, 250mV maksimum Vce doyum gerilimi ve 500nA maksimum kollektör kesme akımı özellikleriyle düşük sinyalli anahat tasarımlarında kullanılmaya uygundur. Endüstriyel uygulamalar, tüketici elektroniği ve sinyal anahtarlaması için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok